AlGaN/GaNHEMT器件可以在A1GaN和GaN端口以及GaN和GaN界面上形成2DEG表面沟道，电晕处理机cs 2d这两个表面沟道受栅极工作电压的控制。当2DEG处于零偏移时，GaN的导带边会逐渐增大，这说明在负工作电压下2DEG的密度会逐渐增大。当负电压达到一定值时，GaN的导带边会逐渐增
